Régulateur MicroModule ultra fin, pour l’alimentation de mémoires DDR-QDR4
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Encapsulé dans un boîtier miniature LGA léger et ultra fin, de seulement 6,25 x 6,25 x 1,82 mm, ce µModule peut être soudé sur l’envers de la carte PCB où il occupe une surface de seulement 0,5 cm2 (double face) ou 1 cm2 (simple face) avec une résistance et trois condensateurs.
Pouvant fournir 3 A sur la broche VDDQ et ±3 A sur la broche VTT, deux modules en parallèle peuvent générer jusqu’à 6 A par ligne de tension pour des barrettes de mémoires plus importantes. Pour une intensité supérieure à 6 A en sortie VDDQ, ce composant peut être associé au LTM4630 pour générer de 18 A à 36 A sur la sortie VDDQ, pour de très grands réseaux de SRAM. Si la tension VDDQ est déjà disponible, le module peut être configuré pour alimenter une seule sortie VTT biphase, jusqu’à 6 A.
Ce régulateur peut fonctionner sur une alimentation d’entrée basse de 3,3 V, ainsi que sur des alimentations d’entrée standard de 5 V et 12 V (jusqu’à 15 V). Chacune des deux tensions de sortie VDDQ et VTT est dans la gamme de 0,6 V à 2,5 V. La troisième sortie est une sortie tamponnée de 10 mA, à bas niveau de bruit, pour la tension VTTR de la SRAM. (VTTR= VDDQ/2)
Les applications comprennent les systèmes PCIe, ceux en lien avec le cloud, les systèmes RAID, le traitement vidéo et les réseaux utilisant des RAM de type DDR / DDR-II / DDR-III / DDR4 / QDR / QDR-II / QDR-II+ et QDR4.
Conçu pour fonctionner de -40 °C à +125 °C, ce module intègre dans son boîtier LGA ultra fin, un régulateur DC/DC à trois sorties, composé de deux circuits, et des commutateurs de puissance, auquel s’ajoutent des inductances et composants externes.
www.linear.com/product/LTM4632
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